IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）是一種先進的功率半導體器件，結合了MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）的高輸入阻抗和GTR（晶閘管）的低導通壓降的優點。它的基本特性包括：
靜態特性。包括轉移特性和輸出特性。轉移特性描述了IGBT集電極電流(iC)與柵極-發射極電壓(UGE)之間的關係，輸出特性則描述了集電極電流(iC)與集電極-發射極間電壓(UCE)之間的關係，這些特性使IGBT在電力電子系統中非常高效。
開關特性。IGBT的開關速度快，開關時間短，通態壓降低，集電極電流最大值高。
安全工作區。IGBT的安全工作區比GTR寬，具有耐脈衝電流衝擊的能力。
輸入阻抗。IGBT的輸入阻抗高，呈純電容性，驅動功率小。
耐壓能力。與VDMOS和GTR相比，IGBT可以承受更高的電壓。
套用廣泛。IGBT廣泛套用於智慧型電網、新能源汽車、家用電器等領域。
這些特性使得IGBT成為能源變換和傳輸的核心器件，尤其在需要高效、低損耗和快速回響的套用中發揮著關鍵作用。