WBG材料，即寬頻隙半導體材料，主要包括以下兩種：
氮化鎵(GaN)：GaN具有寬禁帶特性，其禁頻寬度為3.4eV，遠大於矽的禁頻寬度，因此具有更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。
碳化矽(SiC)：SiC也是一種寬頻隙半導體材料，與GaN相比，它也具有出色的性能，並且可以在更高的溫度和電壓下工作。
WBG半導體的原材料主要包括石英石或矽，以及石墨，後者可以通過採礦或由煤或石油焦合成獲得。在加工材料方面，WBG半導體包括在矽、藍寶石或SiC襯底上生長的薄GaN外延層，以及厚GaN外延層所需的GaN晶錠和晶圓襯底。這些材料需要達到一定的技術成熟度（TRL）和質量標準，才能用於製造功率半導體器件。
以上信息概述了WBG材料的基本概念、主要類型以及原材料和加工材料的相關信息。希望對你有所幫助。